SRAM en flashgeheugen

Wat is de juiste opbouw van een gebruikelijke SRAM-cel met zes transistors?

  1. ATwee kruiselings gekoppelde inverters en twee toegangstransistors
  2. BEén transistor en één condensator
  3. CZes in serie geschakelde transistors met floating gate
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Twee kruiselings gekoppelde inverters en twee toegangstransistors

Een 6T-SRAM-cel bestaat uit een latch van twee inverters (4 transistors) die zo zijn verbonden dat de uitgang van de ene de ingang van de andere is, en twee toegangstransistors die de verbinding met de bitlijnen regelen. Doordat de toestand door positieve terugkoppeling wordt vastgehouden, is geen verversing nodig zolang de voeding aanstaat. De celoppervlakte is met ca. 120 tot 150F² ongeveer 20 keer die van DRAM, maar omdat het in hetzelfde proces als logica kan worden gemaakt en snel is, is het de hoofdrolspeler voor CPU-caches.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welke uitspraak over de kenmerken van NAND-flashgeheugen ten opzichte van NOR is juist?
  2. Hoe heet de methode waarbij in flashgeheugen 3 bits aan informatie in één geheugencel worden opgeslagen?
  3. Wat is het juiste principe van schrijven en wissen van gegevens in flashgeheugen?
  4. Welke uitspraak over 3D-NAND-flashgeheugen is juist?
  5. Wat is de belangrijkste reden dat er een bovengrens is aan het aantal keren dat flashgeheugen kan worden herschreven?

Vergelijkingen bij dit onderwerp