SRAM en flashgeheugen
Welk voorbeeld van “schrijfondersteuning” (write assist) om schrijffouten van SRAM bij lage spanning te voorkomen is juist?
- ABij het schrijven de bitlijn aan de 0-kant licht tot een negatieve spanning verlagen
- BDe voedingsspanning van de cel bij het schrijven verhogen
- CDe spanning van de wordlijn verlagen
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Bij het schrijven de bitlijn aan de 0-kant licht tot een negatieve spanning verlagen
Bij lage spanning schiet de aandrijfkracht van de toegangstransistor tekort, kan hij de pull-up van de cel niet overwinnen en mislukt het schrijven gemakkelijk. Bij de negatieve-bitlijnmethode, waarbij de bitlijn aan de kant waarop een 0 wordt geschreven tot een negatieve spanning (ca. −100 tot −200 mV) wordt verlaagd, neemt de gate-sourcespanning van de toegangstransistor toe en wordt schrijven gemakkelijker. Ook wordt een methode gebruikt waarbij de voedingsspanning van de cel bij het schrijven wordt verlaagd om de pull-up te verzwakken, en bij SRAM in geavanceerde processen zijn dergelijke ondersteuningsschakelingen onmisbaar.