Oxidation und Diffusion

Welche Aussage zur „Diffusion“ von Störstellen in der Halbleiterfertigung ist richtig?

  1. AEin Verfahren, bei dem Störstellen durch ein elektrisches Feld in eine Richtung beschleunigt und eingeschossen werden
  2. BDas Lösen von Störstellen in einer Flüssigkeit und Wegspülen
  3. CEin Phänomen, bei dem sich Störstellenatome durch Wärme von Orten hoher zu Orten niedriger Konzentration ausbreiten
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Antwort: C. Ein Phänomen, bei dem sich Störstellenatome durch Wärme von Orten hoher zu Orten niedriger Konzentration ausbreiten

Diffusion ist ein Phänomen, bei dem sich Störstellen durch die thermische Bewegung von Atomen aus Bereichen hoher Konzentration in Bereiche niedriger Konzentration ausbreiten; sie läuft bei höherer Temperatur schneller ab. Störstellen in Silizium bewegen sich, indem sie mit Leerstellen (durch fehlende Atome entstandene Löcher) und Zwischengitter-Silizium die Plätze tauschen. Früher wurden Störstellen unter Nutzung dieses Phänomens von der Oberfläche eingebracht; heute erfolgt die Diffusion meist bei der Wärmebehandlung nach der Ionenimplantation, und die Aufgabe besteht darin, sie möglichst zu unterdrücken.

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