Quel dopant de type n diffuse relativement lentement lors des traitements thermiques dans le silicium et permet de former facilement des jonctions peu profondes ?

Réponse : C. Arsenic (As)

Parmi les dopants de type n, l’arsenic a un atome plus gros et un coefficient de diffusion plus faible que le phosphore, et sa masse de 75, plus du double de celle du phosphore (31), le fait pénétrer peu profondément même par implantation ionique. Sa solubilité limite élevée permet aussi de forts dopages ; il a donc été utilisé pour les sources, drains et extensions des nMOS, qui exigent des jonctions peu profondes, abruptes et peu résistives. Le phosphore, qui diffuse vite, sert aux caissons profonds et, récemment, au SiP épitaxial. Le bore est de type p.