산화와 확산

Si/SiO2 계면의 계면 준위를 줄이기 위해 수소를 포함한 분위기에서 하는 열처리를 무엇이라고 합니까?

  1. A산소 플라즈마 처리
  2. B포밍 가스 어닐링
  3. C스퍼터링
정답과 해설 보기

정답: B. 포밍 가스 어닐링

Si/SiO2 계면에는 결합이 끊어진 실리콘 원자(댕글링 본드)에 의한 계면 준위가 10¹¹~10¹² cm⁻²eV⁻¹ 정도 남아 있습니다. 수소와 질소의 혼합 가스(포밍 가스, 수소 수 %) 속에서 약 400~450 ℃로 열처리하면 수소가 댕글링 본드와 결합하여 계면 준위를 10¹⁰ cm⁻²eV⁻¹ 정도까지 줄이고, 문턱 전압의 안정, 서브스레숄드 특성, 이동도가 개선됩니다. 배선 공정의 마지막에 하는 경우가 많은 처리입니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

산화와 확산의 다른 문제

  1. 열산화 시 염화수소(HCl) 등 염소를 포함한 가스를 소량 첨가하는 주된 목적은?
  2. 붕소를 포함한 실리콘을 열산화할 때, 계면 부근 실리콘 쪽의 붕소 농도는 어떻게 되는 경향이 있습니까?
  3. 램프 등으로 웨이퍼를 한 장씩, 수 초 정도의 짧은 시간에 고온으로 가열하는 열처리를 무엇이라고 합니까?
  4. 열산화로 형성한 SiO2 막의 비유전율에 가장 가까운 값은?
  5. 실리콘이 MOS 소자의 재료로 널리 사용되어 온 큰 이유 중 하나로 올바른 것은?