Comment s’appelle le traitement thermique sous atmosphère hydrogénée effectué pour réduire les états d’interface Si/SiO2 ?

Réponse : B. Recuit sous forming gas

À l’interface Si/SiO2 subsistent environ 10¹¹ à 10¹² cm⁻²eV⁻¹ d’états d’interface dus aux atomes de silicium à liaisons pendantes. Un traitement thermique vers 400 à 450 ℃ dans un mélange d’hydrogène et d’azote (forming gas, quelques % d’hydrogène) lie l’hydrogène aux liaisons pendantes et réduit les états d’interface à environ 10¹⁰ cm⁻²eV⁻¹, ce qui améliore la stabilité de la tension de seuil, la caractéristique sous le seuil et la mobilité. Ce traitement est souvent effectué à la fin des étapes d’interconnexion.