Nederlands
Menu

MOSFET

Wat gebeurt er in het algemeen met de grootte van de drempelspanning van een nMOSFET als de gate-isolator dikker wordt gemaakt zonder andere condities te wijzigen?

  1. AWordt nul
  2. BWordt groter
  3. CWordt kleiner
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Wordt groter

Bij een dikkere gate-isolator wordt Cox kleiner en neemt de gatespanning toe die nodig is om dezelfde uitputtingslaaglading te dragen, zodat de drempelspanning groter wordt (de derde term in Vth = VFB + 2φF + Qd/Cox neemt toe). Ook binnen dezelfde chip worden transistors met dunne film voor kernschakelingen en met dikke film voor 1,8 V- en 3,3 V-in-/uitgangsschakelingen gecombineerd (dual gate oxide). Transistors met dikke film hebben een hogere doorslagspanning maar zijn trager en hebben ook een hogere Vth.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke relatie tussen de gatelengte (lengte van de gate-elektrode op het masker of na bewerking) en de effectieve kanaallengte van een MOSFET is in het algemeen juist?
  2. Welke uitleg over punch-through van een MOSFET is juist?
  3. Hoe hoog stijgt de uitgangsspanning ongeveer in een pass-transistor (schakelaar) met slechts één nMOSFET, wanneer de gate op de voedingsspanning VDD staat en VDD van de ingang naar de uitgang wordt doorgegeven?
  4. Hoe heet bij een CMOS-inverter de stroom die van de voeding naar de aarde loopt terwijl de ingang omschakelt?
  5. Welke uitleg over de temperatuurafhankelijkheid van de aan-weerstand is juist als reden dat het gemakkelijk is meerdere vermogens-MOSFET's parallel te schakelen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp