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MOSFET

Comment évolue la tension de seuil si l’on augmente la concentration de dopants de la région de canal (substrat p) d’un nMOSFET ?

  1. AElle augmente
  2. BElle diminue
  3. CElle ne change pas
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Réponse : A. Elle augmente

Avec un substrat plus dopé, la charge des accepteurs contenus dans la zone de déplétion avant l’inversion de surface est plus grande et le potentiel de Fermi φF augmente aussi ; il faut donc une tension de grille plus élevée. La tension de seuil augmente. L’ajustement de Vth par implantation ionique dans le canal exploite cette propriété. Cependant, un fort dopage réduit la mobilité et accroît la dispersion (fluctuation du nombre de dopants) ; dans les FinFET et GAA, le canal est donc quasiment non dopé et Vth est fixée par le travail de sortie.

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