Dans un MOSFET de circuit intégré classique, quelle est la relation entre la source et le drain ?

Réponse : A. La structure est quasi symétrique, et c’est la relation de potentiel qui détermine laquelle est la source

Dans un MOSFET de circuit intégré classique, la source et le drain sont des diffusions de même structure réalisées par la même étape, quasi symétriques. Dans un nMOS, le côté au potentiel le plus bas sert de source et le plus haut de drain ; on peut donc inverser le sens du courant, comme dans les portes de transmission ou les transistors de cellule DRAM. À l’inverse, les MOSFET de puissance et les LDMOS sont des composants asymétriques dont seul le côté drain est modifié pour la tenue en tension, et l’on ne peut pas les intervertir.