Welche Aussage zum Verhältnis von Source und Drain bei MOSFETs üblicher integrierter Schaltungen ist richtig?

Antwort: A. Die Struktur ist nahezu symmetrisch, und die Potenzialverhältnisse bestimmen, welche Seite die Source ist

Bei MOSFETs üblicher integrierter Schaltungen sind Source und Drain Diffusionsgebiete gleicher Struktur, die im selben Prozess entstehen, und nahezu symmetrisch. Beim nMOS wirkt die Seite mit niedrigerem Potenzial als Source und die mit höherem als Drain; daher sind Anwendungen möglich, bei denen sich die Stromrichtung umkehrt, wie bei Transmissionsgattern oder Zelltransistoren von DRAM. Leistungs-MOSFETs und LDMOS sind dagegen asymmetrische Bauelemente, bei denen aus Gründen der Spannungsfestigkeit nur die Drain-Seite anders aufgebaut ist; sie lassen sich nicht vertauschen.