MOSFET

Wat gebeurt er met de drempelspanning van een n-kanaal MOSFET wanneer het substraat (body) een negatieve spanning ten opzichte van de source krijgt (substraatvoorspanning)?

  1. ANeemt toe
  2. BNeemt af
  3. CVerandert niet
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Neemt toe

Wanneer tussen source en substraat een spanning in sper wordt aangelegd, breidt de uitputtingslaag onder de gate zich uit en neemt de lading in de uitputtingslaag toe, zodat een grotere gatespanning nodig is om die te compenseren. De drempelspanning neemt daarom toe (substraatvoorspanningseffect, body-effect). Bij de bovenste transistor van een serieschakeling stijgt de sourcepotentiaal, zodat Vth door dit effect toeneemt en de transistor trager wordt. Omgekeerd bestaat er ook een methode waarbij met de substraatspanning Vth wordt ingesteld om lekstroom te verminderen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke eigenschap van een depletion-type MOSFET is juist?
  2. Welke waarde ligt het dichtst bij de theoretische ondergrens van de subthreshold-coëfficiënt van een MOSFET (de gatespanning die nodig is om de drainstroom onder de drempel een decade te veranderen) bij kamertemperatuur?
  3. Welk gedrag van een MOSFET is juist in het lineaire gebied, waar de drain-sourcespanning VDS voldoende klein is?
  4. Wat is het doel van de LDD-structuur (Lightly Doped Drain) van een MOSFET?
  5. Hoe heet het verschijnsel waarbij in een MOSFET in het verzadigingsgebied de effectieve kanaallengte korter wordt als de drainspanning wordt verhoogd, waardoor de drainstroom iets toeneemt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp