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MOSFET

À dimensions égales, un nMOS fournit généralement plus de courant qu’un pMOS. Quelle en est la raison principale ?

  1. AL’oxyde de grille du nMOS est toujours plus épais
  2. BLe pMOS n’a pas d’électrode de grille
  3. CLa mobilité des électrons circulant dans le canal est supérieure à celle des trous
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Réponse : C. La mobilité des électrons circulant dans le canal est supérieure à celle des trous

Dans le nMOS, ce sont des électrons qui circulent dans le canal, dans le pMOS des trous ; dans la couche d’inversion du silicium, la mobilité des électrons est environ 2 à 3 fois celle des trous, si bien qu’à dimensions égales le nMOS conduit davantage. En CMOS, on élargit la grille du pMOS pour équilibrer. Dans les procédés avancés, la contrainte de compression du SiGe augmente la mobilité du pMOS, et dans les FinFET le plan (110), favorable aux trous, forme les flancs de l’ailette ; l’écart s’est donc nettement réduit.

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