Nederlands
Menu

MOSFET

Welke waarde ligt het dichtst bij de theoretische ondergrens van de subthreshold-coëfficiënt van een MOSFET (de gatespanning die nodig is om de drainstroom onder de drempel een decade te veranderen) bij kamertemperatuur?

  1. AOngeveer 600 mV/dec
  2. BOngeveer 6 mV/dec
  3. COngeveer 60 mV/dec
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Ongeveer 60 mV/dec

Ook onder de drempel loopt de drainstroom exponentieel met de gatespanning. De gatespanning die nodig is om de stroom een decade te veranderen (subthreshold-coëfficiënt S) is S = (kT/q)·ln10·(1 + Cd/Cox) en bedraagt zelfs in het ideale geval (Cd = 0) bij kamertemperatuur ongeveer 60 mV/dec. Als Vth wordt verlaagd, is er per decade extra uitstroom slechts ongeveer 60 mV marge, en dat vormt een barrière voor verlaging van de voedingsspanning. Elementen die onder deze grens komen, zoals tunnel-FET's, worden onderzocht.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welk gedrag van een MOSFET is juist in het lineaire gebied, waar de drain-sourcespanning VDS voldoende klein is?
  2. Wat is het doel van de LDD-structuur (Lightly Doped Drain) van een MOSFET?
  3. Hoe heet het verschijnsel waarbij in een MOSFET in het verzadigingsgebied de effectieve kanaallengte korter wordt als de drainspanning wordt verhoogd, waardoor de drainstroom iets toeneemt?
  4. Welke definitie van de transconductantie gm van een MOSFET is juist?
  5. Welke toestand van het halfgeleideroppervlak is juist wanneer bij een MOS-structuur met p-type substraat een negatieve spanning op de gate wordt gezet?

Vergelijkingen bij dit onderwerp