Bei nMOS und pMOS gleicher Abmessungen ist der Treiberstrom des nMOS im Allgemeinen größer. Was ist der Hauptgrund?

Antwort: C. Weil die Beweglichkeit der durch den Kanal fließenden Elektronen größer ist als die der Löcher

Im nMOS fließen Elektronen, im pMOS Löcher durch den Kanal; in der Siliziuminversionsschicht ist die Elektronenbeweglichkeit etwa zwei- bis dreimal so groß wie die der Löcher, sodass der nMOS bei gleichen Abmessungen mehr Strom führen kann. In CMOS wird das durch eine größere Gate-Breite des pMOS ausgeglichen. In modernen Prozessen wird die Beweglichkeit des pMOS durch die Druckverspannung von SiGe erhöht, und bei FinFETs bilden die für Löcher günstigen (110)-Flächen teils die Finnenseitenwand, sodass sich der Unterschied erheblich verringert hat.