離子佈植
關於離子佈植所產生的晶體損傷分布,下列一般性敘述何者正確?
- A僅集中在表面
- B集中在晶圓背面
- C在離子停止的深度(射程)附近至稍淺的位置產生較多
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正確答案:C. 在離子停止的深度(射程)附近至稍淺的位置產生較多
離子在高速時主要藉由與電子的交互作用(電子阻止)損失能量,不太會撞出原子。速度下降後,與原子核的碰撞(核阻止)成為主要,會陸續撞出原子。因此晶體損傷在離子停止的射程附近及其稍前方(約Rp的0.7~0.8倍深度)最多。表面正下方的損傷相對較少,損傷的分布比雜質的分布稍淺。
- A. 損傷不僅在表面,而是延伸到射程附近的深度。
- B. 佈植是從表面側進行,因此不會到達背面。
- C. 正確。在射程附近及其前方較多。