離子佈植

在一般的離子佈植機中,離子所經過的順序,下列何者正確?

  1. A離子源 → 質量分析 → 加速部 → 掃描 → 晶圓
  2. B加速部 → 離子源 → 質量分析 → 晶圓
  3. C質量分析 → 離子源 → 晶圓 → 加速部
查看答案與解析

正確答案:A. 離子源 → 質量分析 → 加速部 → 掃描 → 晶圓

在離子源將氣體製成電漿並取出離子,以質量分析磁鐵僅選出目標離子,再於加速部加速到所需的能量。之後掃描離子束,均勻佈植到整片晶圓,並以法拉第杯量測劑量。依機台不同,順序也有差異,例如先加速再分析,或以高能量傳輸、最後再減速。

  • A. 正確。從離子源開始,經篩選、加速、掃描後到達晶圓。
  • B. 不可能在產生離子之前就加速。
  • C. 不可能在離子源之前進行質量分析。
練習這個領域 前往領域頁面

離子佈植的其他題目

  1. 以相同的加速能量佈植到矽中時,砷(質量數75)與磷(質量數31)的射程關係,下列何者正確?
  2. 在離子佈植機中,以加速電壓50 kV加速二價離子(電荷為兩倍)時,其能量為多少?
  3. 主要用於MOSFET的臨界電壓調整或井區等中等劑量佈植的離子佈植機為下列何者?
  4. 被佈植的離子撞出矽原子時,在晶體中形成的空缺與晶格間原子的組合,稱為什麼?
  5. 在大電流離子佈植期間冷卻晶圓的主要原因,下列何者正確?

這個領域的比較