Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Waarom worden van de 2D-materialen vooral overgangsmetaaldichalcogeniden zoals MoS2, en niet grafeen, onderzocht als kanaal voor logische transistors?

  1. AGrafeen heeft geen bandgap, zodat een gatespanning de stroom niet goed genoeg kan afsluiten
  2. BGrafeen is alleen stabiel bij een dikte van 1 cm of meer
  3. CGrafeen is een isolator die geen elektriciteit geleidt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Grafeen heeft geen bandgap, zodat een gatespanning de stroom niet goed genoeg kan afsluiten

Grafeen heeft een zeer hoge mobiliteit, maar geen bandgap, zodat er ook in de uit-toestand stroom vloeit en de verhouding tussen aan- en uitstroom klein blijft. Overgangsmetaaldichalcogeniden zoals MoS2 en WSe2 zijn halfgeleiders met een bandgap, zelfs als enkele laag, en ze werken als transistor met kanalen van ongeveer 0,65 nm dik. Daarom worden ze onderzocht als volgende kandidaten om kanalen nog dunner te maken dan de nanosheet van silicium.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Verwante rekentools

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Wat is de belangrijkste reden dat monolithische 3D-integratie lagen veel dichter met elkaar kan verbinden dan 3D-packaging die afzonderlijk gemaakte chips aan elkaar bondt?
  2. Welke uitspraak over de verbinding met de onderste van de twee gestapelde transistors in een CFET (complementaire FET) is juist?
  3. Welke uitspraak over een structureel kenmerk van de FinFET is juist?
  4. Welke uitspraak over een GAA-transistor (gate-all-around) is juist?
  5. Welk verschijnsel is een kortekanaaleffect van MOSFET's?

Vergelijkingen bij dit onderwerp