Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)
Waarom worden van de 2D-materialen vooral overgangsmetaaldichalcogeniden zoals MoS2, en niet grafeen, onderzocht als kanaal voor logische transistors?
- AGrafeen heeft geen bandgap, zodat een gatespanning de stroom niet goed genoeg kan afsluiten
- BGrafeen is alleen stabiel bij een dikte van 1 cm of meer
- CGrafeen is een isolator die geen elektriciteit geleidt
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Grafeen heeft geen bandgap, zodat een gatespanning de stroom niet goed genoeg kan afsluiten
Grafeen heeft een zeer hoge mobiliteit, maar geen bandgap, zodat er ook in de uit-toestand stroom vloeit en de verhouding tussen aan- en uitstroom klein blijft. Overgangsmetaaldichalcogeniden zoals MoS2 en WSe2 zijn halfgeleiders met een bandgap, zelfs als enkele laag, en ze werken als transistor met kanalen van ongeveer 0,65 nm dik. Daarom worden ze onderzocht als volgende kandidaten om kanalen nog dunner te maken dan de nanosheet van silicium.
Verder: nog 9 vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)