Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Hoe heet de toestand waarin het kanaal zo kort is geworden dat ladingdragers vrijwel zonder verstrooiing van source naar drain doorschieten?

  1. ABallistisch transport
  2. BDiffusief transport
  3. CHopping-transport
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Ballistisch transport

Als de kanaallengte gelijk is aan of kleiner is dan de gemiddelde vrije weglengte van ladingdragers (circa 10 tot 20 nm voor elektronen in silicium bij kamertemperatuur), bewegen ladingdragers vrijwel zonder verstrooiing van source naar drain. Dit is ballistisch transport, waarbij de stroom niet door de mobiliteit maar door de snelheid waarmee ladingdragers vanuit de source in het kanaal worden geïnjecteerd (injectiesnelheid) wordt bepaald. Ook bij volledig ballistisch transport wordt de weerstand niet 0, maar blijft een door de kwantummechanica bepaalde contactweerstand (kwantumweerstand) bestaan.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke transistor heeft source, kanaal en drain van hetzelfde geleidingstype en dezelfde concentratie, en heeft dus geen pn-junctie?
  2. Wat is het doel van een laag met hoge onzuiverheidsconcentratie aan de voet van de vin (het deel dat de gate moeilijk bestuurt) bij een FinFET op een bulksubstraat?
  3. Welke uitspraak over de 'schaallengte (natuurlijke lengte) λ', die wordt gebruikt om de sterkte van korte-kanaaleffecten te schatten, is juist?
  4. Welk effect heeft kwantumopsluiting wanneer de dikte van vinnen of nanosheets tot enkele nm wordt verdund?
  5. Bij een FinFET die op de gebruikelijke wijze op een (100)-wafer is gemaakt, zijn de zijvlakken van de vin, het kanaal, vooral (110)-vlakken. Welke uitspraak over het effect hiervan op de mobiliteit is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp