Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welk effect heeft kwantumopsluiting wanneer de dikte van vinnen of nanosheets tot enkele nm wordt verdund?

  1. ADe effectieve bandkloof wordt groter en de drempelspanning verandert (spreiding in dikte wordt spreiding in drempelspanning)
  2. BDe lading van elektronen neemt toe
  3. CSilicium wordt een metaal
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De effectieve bandkloof wordt groter en de drempelspanning verandert (spreiding in dikte wordt spreiding in drempelspanning)

Wanneer het kanaal enkele nm dik wordt, worden de energieën van elektronen gekwantiseerd tot discrete niveaus en wordt het laagste niveau boven de onderkant van de geleidingsband getild, waardoor de effectieve bandkloof groter wordt. De verheffing is omgekeerd evenredig met het kwadraat van de dikte, zodat bij een dikte van circa 5 nm al een verschil van één atoomlaag (circa 0,3 nm) de drempelspanning met enkele tientallen mV kan veranderen. Nauwkeurige beheersing van de dikte van vinnen en nanosheets is daarom belangrijk.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Bij een FinFET die op de gebruikelijke wijze op een (100)-wafer is gemaakt, zijn de zijvlakken van de vin, het kanaal, vooral (110)-vlakken. Welke uitspraak over het effect hiervan op de mobiliteit is juist?
  2. Welke uitspraak over een structureel kenmerk van de FinFET is juist?
  3. Welke uitspraak over een GAA-transistor (gate-all-around) is juist?
  4. Welk verschijnsel is een kortekanaaleffect van MOSFET's?
  5. Wat is de belangrijkste reden om een high-k-materiaal (hoge diëlektrische constante) als gate-isolator te gebruiken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp