Nederlands
Menu

Etsen

Wat is de selectiviteit ten opzichte van het masker als de etssnelheid van oxide 100 nm/min is en het masker met 20 nm/min wordt aangetast?

  1. A0,2
  2. B5
  3. C80
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. 5

Selectiviteit is 'snelheid van de te etsen film ÷ snelheid van het masker (of de ondergrond)', dus 100 ÷ 20 = 5. Bij het etsen van 500 nm oxide wordt het masker 100 nm aangetast, en rekening houdend met overetsen en vormverlies moet het masker minstens circa 150 tot 200 nm dik zijn. Is de selectiviteit onvoldoende, dan wordt het masker dikker gemaakt of wordt overgeschakeld op een hardmask.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke oplossing, een met ammoniumfluoride gebufferd fluorwaterstofzuur, wordt gebruikt voor het nat etsen van SiO2?
  2. Welke reden waarom etsen met de wafer op zeer lage temperatuur (cryogeen) aandacht krijgt voor bewerkingen met hoge aspectverhouding is juist?
  3. Hoe heet het verwerken van dummywafers vóór productwafers om de toestand te stabiliseren, omdat het bewerkingsresultaat verandert met de toestand van de binnenwand van de etsapparatuur?
  4. Welk voordeel van gepulst plasma, waarbij tijdens het etsen het hoogfrequente plasmavermogen aan en uit wordt geschakeld, is juist?
  5. Welk gas wordt over het algemeen gebruikt voor het droog etsen van GaN?

Vergelijkingen bij dit onderwerp