Nederlands
Menu

Etsen

Welk voorbeeld van een vormafwijking die bij etsen met hoge aspectverhouding voorkomt, is juist?

  1. ABowing, waarbij het gat halverwege breder wordt, of twisting, waarbij het gat kromtrekt
  2. BDishing, waarbij bedrading bij CMP schotelvormig uitgehold raakt
  3. CShadowing, waarbij bij schuine implantatie een schaduw ontstaat
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Bowing, waarbij het gat halverwege breder wordt, of twisting, waarbij het gat kromtrekt

Bij het etsen van diepe gaten treden gemakkelijk vormafwijkingen op: bowing, waarbij het gat halverwege breder wordt doordat aan de rand van het masker verstrooide ionen de zijwand raken, twisting, waarbij het gat kromtrekt of draait doordat de bodem oplaadt en ionen worden afgebogen, en tapering, waarbij de bodem niet opengaat. Bij de geheugengaten van 3D NAND is het een grote uitdaging om de diameter van gaten door honderden lagen boven en onder gelijk te houden en ze recht te etsen, en daarvoor wordt onder meer cryogeen etsen ingevoerd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Wat is de selectiviteit ten opzichte van het masker als de etssnelheid van oxide 100 nm/min is en het masker met 20 nm/min wordt aangetast?
  2. Welke oplossing, een met ammoniumfluoride gebufferd fluorwaterstofzuur, wordt gebruikt voor het nat etsen van SiO2?
  3. Welke reden waarom etsen met de wafer op zeer lage temperatuur (cryogeen) aandacht krijgt voor bewerkingen met hoge aspectverhouding is juist?
  4. Hoe heet het verwerken van dummywafers vóór productwafers om de toestand te stabiliseren, omdat het bewerkingsresultaat verandert met de toestand van de binnenwand van de etsapparatuur?
  5. Welk voordeel van gepulst plasma, waarbij tijdens het etsen het hoogfrequente plasmavermogen aan en uit wordt geschakeld, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp