Etsen

Welke reden waarom etsen met de wafer op zeer lage temperatuur (cryogeen) aandacht krijgt voor bewerkingen met hoge aspectverhouding is juist?

  1. AOmdat de etssnelheid 0 wordt
  2. BOmdat de reactie aan de zijwanden wordt onderdrukt en snelle, verticale, diepe bewerkingen gemakkelijker worden
  3. COmdat plasma niet meer nodig is
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Omdat de reactie aan de zijwanden wordt onderdrukt en snelle, verticale, diepe bewerkingen gemakkelijker worden

Als de wafer wordt gekoeld tot een zeer lage temperatuur, zoals −60 °C of lager, wordt de spontane chemische reactie met radicalen aan de zijwanden onderdrukt en werken reactieproducten en gecondenseerd gas als beschermende film, terwijl op de bodem waar ionen invallen het etsen voortgaat. Daardoor kunnen diepe, verticale gaten naar verluidt meer dan twee keer zo snel worden geëtst als bij conventionele methoden, en de methode wordt ingevoerd voor de geheugengaten van 3D NAND. De sleutels zijn koeltechniek in de apparatuur en de keuze van gassen zoals waterstoffluoride.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Hoe heet het verwerken van dummywafers vóór productwafers om de toestand te stabiliseren, omdat het bewerkingsresultaat verandert met de toestand van de binnenwand van de etsapparatuur?
  2. Welk voordeel van gepulst plasma, waarbij tijdens het etsen het hoogfrequente plasmavermogen aan en uit wordt geschakeld, is juist?
  3. Welk gas wordt over het algemeen gebruikt voor het droog etsen van GaN?
  4. Welke reden waarom het moeilijk is Cu-bedrading rechtstreeks met droog etsen te bewerken is juist?
  5. Hoe heet het verschijnsel dat bij het etsen van een gate de zijkant van het patroon nabij de grens met de onderliggende isolatiefilm zijwaarts wordt uitgehold?

Vergelijkingen bij dit onderwerp