Etsen
Welke reden waarom etsen met de wafer op zeer lage temperatuur (cryogeen) aandacht krijgt voor bewerkingen met hoge aspectverhouding is juist?
- AOmdat de etssnelheid 0 wordt
- BOmdat de reactie aan de zijwanden wordt onderdrukt en snelle, verticale, diepe bewerkingen gemakkelijker worden
- COmdat plasma niet meer nodig is
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. Omdat de reactie aan de zijwanden wordt onderdrukt en snelle, verticale, diepe bewerkingen gemakkelijker worden
Als de wafer wordt gekoeld tot een zeer lage temperatuur, zoals −60 °C of lager, wordt de spontane chemische reactie met radicalen aan de zijwanden onderdrukt en werken reactieproducten en gecondenseerd gas als beschermende film, terwijl op de bodem waar ionen invallen het etsen voortgaat. Daardoor kunnen diepe, verticale gaten naar verluidt meer dan twee keer zo snel worden geëtst als bij conventionele methoden, en de methode wordt ingevoerd voor de geheugengaten van 3D NAND. De sleutels zijn koeltechniek in de apparatuur en de keuze van gassen zoals waterstoffluoride.