Wie heißt die Grenze zwischen Bereichen im Kristall, in denen die Anordnung von Ga und As vertauscht ist und die beim Wachstum polarer Verbindungshalbleiter wie GaAs auf unpolaren Siliziumsubstraten leicht entsteht?

Antwort: A. Antiphasengrenze (APB)

Wächst eine polare Verbindung wie GaAs auf unpolarem Silizium, wachsen auf beiden Seiten einer einatomaren Stufe der Oberfläche Bereiche mit vertauschten Positionen von Ga und As, und an der Grenze entsteht eine Antiphasengrenze (APB). In der APB gibt es falsche Ga-Ga- und As-As-Bindungen, die elektrische Defekte darstellen. Gegenmaßnahmen sind das Tempern von Substraten mit Offcut-Winkel, um Doppelstufen (zweiatomige Stufen) zu erzeugen, und das Wachstum in Gräben, um die APB einzuschließen.