차세대 메모리
ReRAM 셀의 저항값 편차가 큰 것으로 인한 과제로 올바른 것은 무엇입니까?
- A고저항과 저저항을 구분하기 위한 마진이 작아져 다치화나 대용량화가 어려워진다
- B쓰기가 지나치게 빨라진다
- C셀이 가벼워진다
정답과 해설 보기
정답: A. 고저항과 저저항을 구분하기 위한 마진이 작아져 다치화나 대용량화가 어려워진다
ReRAM에서는 전도성 필라멘트의 굵기와 위치가 확률적으로 정해지므로, 셀마다(디바이스 간)로도, 같은 셀의 쓰기마다(사이클 간)로도 저항값이 편차를 보입니다. 고저항과 저저항의 분포가 가까워지면 읽기 마진이 작아져 다치화나 대규모 어레이의 구현이 어려워집니다. 쓰기 후 확인하여 조건을 바꾸는 방식이나, 전류 상한을 제어하여 저항을 맞추는 방법으로 대책을 세웁니다.