Neue Speichertechnologien

Welche Herausforderung ergibt sich bei ReRAM aus der großen Streuung der Zellwiderstände?

  1. ADie Reserve zur Unterscheidung von hohem und niedrigem Widerstand wird klein, und Mehrbit-Speicherung und hohe Kapazität werden schwierig
  2. BDas Schreiben wird zu schnell
  3. CDie Zelle wird leichter
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Antwort: A. Die Reserve zur Unterscheidung von hohem und niedrigem Widerstand wird klein, und Mehrbit-Speicherung und hohe Kapazität werden schwierig

Bei ReRAM werden Dicke und Lage des leitfähigen Filaments stochastisch bestimmt, sodass der Widerstand sowohl von Zelle zu Zelle (Device-to-Device) als auch von Schreibvorgang zu Schreibvorgang derselben Zelle (Cycle-to-Cycle) streut. Rücken die Verteilungen von hohem und niedrigem Widerstand zusammen, sinkt die Lesereserve, und Mehrbit-Speicherung und große Arrays werden schwierig. Gegenmaßnahmen sind Verfahren, die nach dem Schreiben verifizieren und die Bedingungen anpassen, sowie die Begrenzung des Stroms zur Angleichung der Widerstände.

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