Neue Speichertechnologien
Welches Speicherprinzip von MRAM ist richtig?
- AUnterschied im Widerstand je nach Magnetisierungsrichtung eines magnetischen Tunnelkontakts (MTJ)
- BUnterschied im Widerstand zwischen kristallinem und amorphem Zustand eines Chalkogenidmaterials
- CVorhandensein oder Fehlen von im Kondensator gespeicherter Ladung
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Antwort: A. Unterschied im Widerstand je nach Magnetisierungsrichtung eines magnetischen Tunnelkontakts (MTJ)
MRAM nutzt einen magnetischen Tunnelkontakt (MTJ), bei dem zwei magnetische Schichten eine etwa 1 nm dicke Isolierschicht einschließen. Über den Tunnelmagnetowiderstand-Effekt, bei dem der Widerstand bei paralleler Magnetisierung niedrig und bei antiparalleler hoch ist, werden 0 und 1 unterschieden; die Magnetisierung bleibt ohne Versorgung erhalten, daher ist der Speicher nichtflüchtig. Stärken sind die nahezu unbegrenzte Zahl von Schreibzyklen und die hohe Geschwindigkeit. Der Widerstandsunterschied zwischen kristallin und amorph wird beim Phasenwechselspeicher genutzt, Ladung beim DRAM.