Mémoires émergentes
Quel est le principe de mémorisation de la MRAM ?
- ALa différence de résistance selon l'orientation de l'aimantation d'une jonction tunnel magnétique (MTJ)
- BLa différence de résistance entre l'état cristallin et l'état amorphe d'un matériau chalcogénure
- CLa présence ou l'absence de charge stockée dans un condensateur
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Réponse : A. La différence de résistance selon l'orientation de l'aimantation d'une jonction tunnel magnétique (MTJ)
La MRAM utilise une jonction tunnel magnétique (MTJ), dans laquelle une couche isolante d'environ 1 nm d'épaisseur est prise en sandwich entre deux couches magnétiques. Grâce à l'effet de magnétorésistance tunnel, la résistance est faible lorsque les aimantations sont parallèles et élevée lorsqu'elles sont antiparallèles, ce qui permet de distinguer 0 et 1 ; l'aimantation étant conservée sans alimentation, la mémoire est non volatile. Ses atouts sont une endurance quasi illimitée et une grande rapidité. La différence de résistance entre cristal et amorphe est exploitée par la mémoire à changement de phase, et la charge électrique par la DRAM.