차세대 메모리

MRAM의 기억 원리로 올바른 것은 무엇입니까?

  1. A자기터널접합(MTJ)의 자화 방향에 따른 저항의 차이
  2. B칼코게나이드 재료의 결정 상태와 비정질 상태의 저항 차이
  3. C커패시터에 저장된 전하의 유무
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정답: A. 자기터널접합(MTJ)의 자화 방향에 따른 저항의 차이

MRAM은 두 개의 자성층 사이에 두께 1 nm 정도의 절연층을 끼운 자기터널접합(MTJ)을 사용합니다. 자화 방향이 평행이면 저항이 낮고 반평행이면 높아지는 터널 자기저항 효과로 0과 1을 구분하며, 자화는 전원 없이도 유지되므로 비휘발성입니다. 재기록 횟수가 사실상 무제한이고 속도가 빠른 점이 강점입니다. 결정과 비정질의 저항 차이를 이용하는 것은 상변화 메모리이고, 전하를 이용하는 것은 DRAM입니다.

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