Laagafzetting (CVD, PVD)

Wat is een voordeel van plasma-ALD (PEALD)?

  1. AVoor de depositie is een hoge temperatuur noodzakelijk
  2. BIn één keer wordt snel een dikke laag verkregen
  3. CDoordat zeer reactieve radicalen worden gebruikt, kan bij lagere temperatuur dan bij thermische ALD worden afgezet en wordt het bereik aan bruikbare materialen groter
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Doordat zeer reactieve radicalen worden gebruikt, kan bij lagere temperatuur dan bij thermische ALD worden afgezet en wordt het bereik aan bruikbare materialen groter

Bij PEALD wordt in de reactiestap plasma gebruikt om zeer reactieve radicalen van zuurstof, stikstof en waterstof te maken, zodat bij een lagere temperatuur dan bij thermische ALD (kamertemperatuur tot enkele honderden °C) kan worden afgezet en ook materiaalcombinaties die thermisch moeilijk reageren (zoals SiN en TiN) mogelijk zijn. Omdat ook op resist kan worden afgezet, wordt het gebruikt voor spacers bij multipatterning. Daar staat tegenover dat radicalen diep in structuren gemakkelijk deactiveren, zodat de stapdekking slechter kan zijn dan bij thermische ALD.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Welk onderdeel van een CVD-apparaat levert het brongas gelijkmatig vanaf boven de wafer via veel kleine gaten?
  2. Welke depositiemethode vult zeer smalle, diepe sleuven van onderaf met een vloeibare laag en laat die daarna stollen?
  3. Wat wordt bij sputteren gewoonlijk gedaan om de depositiesnelheid te verhogen?
  4. Welk voordeel hebben lagen van thermische CVD bij hoge temperatuur gewoonlijk ten opzichte van plasma-CVD-lagen van hetzelfde materiaal?
  5. Welke richtwaarde voor de laagdikte die in één ALD-cyclus wordt afgezet is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp