Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)

Wat is bij een glaskernsubstraat de belangrijkste reden dat rond met koper gevulde through-glass via's (TGV's) gemakkelijk scheuren ontstaan?

  1. AGlas geleidt elektriciteit, waardoor er ontladingen optreden tussen naburige TGV's
  2. BDe thermische uitzettingscoëfficiënten van koper en glas verschillen sterk, zodat er bij elke temperatuurverandering spanning rond de TGV's ontstaat
  3. CGlas is zachter dan organische materialen, waardoor het gebied rond de gaten sterk vervormt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De thermische uitzettingscoëfficiënten van koper en glas verschillen sterk, zodat er bij elke temperatuurverandering spanning rond de TGV's ontstaat

Een glaskernsubstraat vervangt de organische kern van een packagesubstraat door een glasplaat; omdat die vlak en maatvast is, verwacht men dat ook op grote substraten fijne bedrading kan worden gevormd. Glas is echter bros, en rond met koper gevulde TGV's veroorzaakt elke stijging en daling van de temperatuur herhaaldelijk spanning door het verschil in uitzetting tussen koper en glas, wat het beginpunt van microscheurtjes kan worden. Spanningsverminderende structuren en materialen, versterkt glas en het aantonen van de betrouwbaarheid op lange termijn zijn uitdagingen voor praktisch gebruik.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)

  1. Wat is de belangrijkste reden dat het voordeel van panel-level packaging (PLP) ten opzichte van ronde wafers groter wordt naarmate de packages groter zijn?
  2. Welke uitspraak over chiplets is juist?
  3. Welke uitspraak over TSV (through-silicon via) is juist?
  4. Welke uitspraak over HBM (High Bandwidth Memory) is juist?
  5. Welke uitspraak over de rol van een silicium-interposer bij 2.5D-integratie is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp