바이폴라 트랜지스터

SiGe HBT(헤테로접합 바이폴라 트랜지스터)의 특징으로 올바른 것은?

  1. A베이스를 금속으로 만든 트랜지스터이다
  2. B베이스에 SiGe를 사용한 헤테로접합으로 높은 주파수까지 동작하기 쉽다
  3. C전류 증폭률이 1 이하로 고정되어 있다
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정답: B. 베이스에 SiGe를 사용한 헤테로접합으로 높은 주파수까지 동작하기 쉽다

SiGe HBT는 베이스에 밴드갭이 작은 SiGe를 사용한 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터입니다. 에미터와 베이스의 밴드갭 차이가 정공의 역주입을 억제하므로 주입 효율을 유지한 채 베이스를 고농도·박막으로 만들 수 있고, Ge 농도에 경사를 주어 베이스 내에 전계를 만들어 전자를 가속할 수도 있습니다. fT가 수백 GHz에 달하고 실리콘 공정으로 만들 수 있어 스마트폰의 고주파 회로, 광통신, 차량용 레이더에 사용되고 있습니다.

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