첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
양산되고 있는 나노시트형 GAA 트랜지스터에서 하나의 트랜지스터에 쌓는 나노시트의 장수로 일반적인 것은?
- A1장
- B3장 정도
- C100장 정도
정답과 해설 보기
정답: B. 3장 정도
현재의 나노시트형 GAA에서는 3장 정도의 시트를 쌓는 것이 일반적입니다. 장수를 늘리면 같은 면적에서 전류를 늘릴 수 있지만, 적층이 높아져 소스·드레인의 에피 성장이나 시트 사이로의 게이트 매립이 어려워지고 아래쪽 시트일수록 기생 저항과 기생 용량의 영향이 커집니다. 또한 기생 용량 증가로 고속성보다 소비전력 면에서 불리해지므로, 효과와 어려움의 균형으로 장수가 정해집니다.
- A. 1장으로는 적층에 의한 전류 증가라는 장점을 얻을 수 없습니다.
- B. 맞습니다. 3장 정도가 일반적입니다.
- C. 100장이나 쌓는 것은 로직 트랜지스터에서는 현실적이지 않습니다.