첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
평면형 트랜지스터에서 FinFET으로 이행하면서 서브스레숄드 계수(SS)는 일반적으로 어떻게 바뀌었는가?
- A이론 한계인 약 60 mV/dec 아래로 내려가게 되었다
- B이론 한계인 약 60 mV/dec에 가까워졌다(작아졌다)
- C커져서 끄기 어려워졌다
정답과 해설 보기
정답: B. 이론 한계인 약 60 mV/dec에 가까워졌다(작아졌다)
서브스레숄드 계수는 S = (kT/q)·ln10·(1 + Cd/Cox)이며, 게이트 이외의 용량(공핍층 등)의 영향이 작을수록 이론 한계인 약 60 mV/dec에 가까워집니다. 평면형의 미세한 트랜지스터에서는 80~100 mV/dec로 악화되어 있었지만, FinFET에서는 3방향에서 제어하므로 약 65~70 mV/dec까지 개선되었습니다. 다만 열적인 원리로 동작하는 한 60 mV/dec 아래로 내려갈 수는 없습니다.
- A. 일반 MOSFET에서는 열적 한계 때문에 60 mV/dec 아래로 내려갈 수 없습니다.
- B. 맞습니다. 게이트의 지배력이 강해져 한계에 가까워집니다.
- C. FinFET에서는 SS가 개선(작아짐)됩니다.