CVD에 의한 에피택셜 성장에서 비교적 낮은 온도 영역에서는 성장 속도가 온도에 강하게 의존한다. 그 이유로 올바른 것은?

정답: B. 표면에서의 화학 반응 속도가 성장 속도를 결정하기 때문(표면 반응 율속)

저온에서는 표면에서의 화학 반응이 느려서 반응 속도가 성장 속도를 결정합니다(표면 반응 율속). 반응 속도는 아레니우스 식에 따라 온도에 지수 함수적으로 의존하므로 성장 속도도 온도에 강하게 의존하며, 웨이퍼 내 온도의 균일성이 곧 막 두께의 균일성이 됩니다. 고온에서는 반응이 충분히 빨라져 원료 가스가 표면에 도달하는 속도가 성장 속도를 결정하는 공급 율속(확산 율속)이 되며, 가스 흐름의 균일성이 중요해집니다.