콘택트 홀을 텅스텐 CVD로 매립하기 전에 TiN(질화티타늄) 등의 얇은 막을 하지로 형성하는 주된 이유는?

정답: B. 텅스텐의 밀착성을 높이고 원료인 WF6의 불소로부터 하부 층을 보호하기 위해

텅스텐은 산화막에 그대로는 잘 붙지 않고, 또한 원료인 WF6의 불소가 하부의 실리콘이나 티타늄과 반응하여 침식(웜홀 등)이나 접촉 불량을 일으킵니다. 그래서 먼저 Ti로 실리콘과의 접촉 저항을 낮추고, 그 위의 TiN으로 밀착성을 확보하고 불소를 차단한 뒤 텅스텐을 매립합니다. 미세화로 이 Ti/TiN의 두께가 저항에서 차지하는 비율이 커져, 더 얇은 배리어나 배리어가 필요 없는 재료가 검토되고 있습니다.