Écart d'énergie entre le niveau du vide et le bas de la bande de conduction d'un semi-conducteur. Utilisée pour évaluer les discontinuités de bandes des hétérojonctions et la hauteur de barrière des contacts métalliques.
Nom japonais: 電子親和力
« Affinité électronique » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Physique des semi-conducteurs.
Domaine: Physique des semi-conducteurs
Réponse : A. Affinité électronique
L'affinité électronique (χ) est l'énergie nécessaire pour extraire dans le vide un électron situé au bas de la bande de conduction ; elle vaut environ 4,05 eV pour le silicium. C'est une valeur propre au matériau, indépendante du dopage. Le travail de sortie, lui, est la différence entre le niveau de Fermi et le niveau du vide, et varie avec le dopage. Dans une hétérojonction entre semi-conducteurs différents, la différence d'affinités électroniques détermine le décalage de la bande de conduction (ΔEc) (règle d'Anderson).
L'affinité électronique (χ) est l'énergie nécessaire pour extraire dans le vide un électron situé au bas de la bande de conduction ; elle vaut environ 4,05 eV pour le silicium.
Comment appelle-t-on la différence d'énergie entre le nivea…Travail de sortie Niveau de Fermi Accepteur Bande interdite (bandgap) Bande interdite indirecte Concentration intrinsèque de porteurs Donneur Longueur de diffusion Masse effective Mobilité