Comment appelle-t-on la différence d'énergie entre le niveau du vide et le bas de la bande de conduction d'un semi-conducteur ?

Réponse : A. Affinité électronique

L'affinité électronique (χ) est l'énergie nécessaire pour extraire dans le vide un électron situé au bas de la bande de conduction ; elle vaut environ 4,05 eV pour le silicium. C'est une valeur propre au matériau, indépendante du dopage. Le travail de sortie, lui, est la différence entre le niveau de Fermi et le niveau du vide, et varie avec le dopage. Dans une hétérojonction entre semi-conducteurs différents, la différence d'affinités électroniques détermine le décalage de la bande de conduction (ΔEc) (règle d'Anderson).