Rapport entre la variation du courant de drain et celle de la tension de grille, noté gm. Elle traduit la capacité d'amplification du transistor ; le gain d'un amplificateur est environ le produit de gm par la résistance de charge.
Nom japonais: 相互コンダクタンス
« Transconductance » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Transistors bipolaires, MOSFET.
Domaine: MOSFET
Réponse : B. Environ 38 mS
La transconductance d'un transistor bipolaire vaut gm = IC/VT, soit 1 mA ÷ 26 mV ≈ 38 mS. Elle ne dépend que du courant, et non de la taille du transistor ni des dispersions de fabrication. Pour un MOSFET, gm = 2ID/(VGS − Vth) ; VGS − Vth étant généralement de 0,1 V ou plus, le bipolaire offre à courant égal une gm 2 à 4 fois supérieure. Cette gm élevée est l'une des raisons de l'emploi des bipolaires dans les circuits analogiques à faible bruit et gain élevé.
Réponse : B. Environ 200
Le gain en tension petit signal d'un amplificateur en émetteur commun vaut Av ≈ −gm × RC, soit 40 mS × 5 kΩ = 200. Comme gm = IC/VT, Av = IC·RC/VT : plus la chute de tension continue dans RC (IC·RC) est grande, plus le gain est élevé. Par exemple, une chute de 5,2 V donne un gain d'environ 200. En pratique, la charge et la résistance de sortie du transistor se mettent en parallèle et réduisent le gain, plafonné à gm × ro (plusieurs milliers).
La transconductance d'un transistor bipolaire vaut gm = IC/VT, soit 1 mA ÷ 26 mV ≈ 38 mS.
Quelle est approximativement la transconductance gm d'un tr…La transconductance gm = ∂ID/∂VGS exprime dans quelle mesure une variation de tension de grille modifie le courant de drain.
Quelle est la définition de la transconductance gm d’un MOS…CMOS Couche d'inversion Courant de court-circuit transitoire DIBL Effet de canal court Effet de substrat GIDL (fuite de drain induite par la grille) Modulation de longueur de canal Pente sous le seuil (subthreshold swing) Perçage (punch-through)