什麼是列鎚攻擊(Rowhammer)
在 DRAM 中短時間內多次啟動同一列時，相鄰列的單元電荷流失而使資料翻轉的現象。可能被惡意用於資安攻擊，因此在 DRAM 端與記憶體控制器端都有採取對策。
日文名稱: ロウハンマー
這個名詞所屬的領域: DRAM
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1T1C 單元 冗餘修復 字元線 位元線 更新(Refresh) 記憶體庫(Bank) 記憶體牆 感測放大器 預充電 CAS 延遲
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