Verschijnsel waarbij het kort na elkaar vaak activeren van dezelfde rij in DRAM de lading van cellen in naburige rijen doet verdwijnen, zodat data kantelen. Kan voor aanvallen worden misbruikt; daarom zijn maatregelen genomen in de DRAM en de geheugencontroller.
Japanse benaming: ロウハンマー
“Rowhammer” komt voor in 2 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Hardwarebeveiliging, DRAM.
Vakgebied: DRAM
Antwoord: B. De rijen naast een vaak geactiveerde rij sneller verversen (zoals TRR) en de verversingsfrequentie verhogen
Rowhammer is het verschijnsel dat bij het binnen korte tijd herhaaldelijk activeren van een rij de lading van cellen in een naburige rij door elektrische interferentie weglekt en bits omklappen. Het kan mogelijk worden gebruikt voor aanvallen waarbij een programma zonder bevoegdheid data van andere processen of de kernel herschrijft. Als tegenmaatregelen worden gecombineerd: een mechanisme dat de buren van vaak geactiveerde rijen extra ververst, een hogere verversingsfrequentie en ECC dat omgeklapte bits vindt en herstelt.
Rowhammer is het verschijnsel dat bij het binnen korte tijd herhaaldelijk activeren van een rij de lading van cellen in een naburige rij door elektrische interferentie weglekt en bits omklappen.
Welke maatregel tegen Rowhammer bij DRAM is juist?Rowhammer is het verschijnsel dat, wanneer dezelfde rij in korte tijd tienduizenden keren wordt geactiveerd, de lading van cellen in naburige rijen verloren gaat door spanningsschommelingen op de wordlijn en verplaatsing van lading, waardoor gegevens omslaan.
Hoe heet het verschijnsel dat bij DRAM, als een rij in kort…ECC (foutcorrigerende code) 1T1C-cel Bank Bitlijn CAS-latency DDR SDRAM DIMM Leesversterker (sense amplifier) LPDDR Memory wall