Qu'est-ce que Concentration intrinsèque de porteurs ?

Densité d'électrons et de trous générés thermiquement dans un semi-conducteur sans impuretés (notée ni). Environ 1×10¹⁰ cm⁻³ dans le silicium à température ambiante, elle croît rapidement avec la température. À l'équilibre thermique, n × p = ni².

Nom japonais: 真性キャリア密度

Domaine: Physique des semi-conducteurs