Was ist Intrinsische Ladungsträgerdichte (intrinsic carrier density)?

Dichte der thermisch erzeugten Elektronen und Löcher in einem undotierten Halbleiter, geschrieben ni. Bei Silizium beträgt sie bei Raumtemperatur etwa 1×10¹⁰ cm⁻³ und steigt mit der Temperatur steil an. Im Gleichgewicht gilt n × p = ni².

Japanische Bezeichnung: 真性キャリア密度

Fachgebiet: Halbleiterphysik