Niveau de Fermi introduit pour décrire séparément les densités d'électrons et de trous d'un semi-conducteur hors équilibre thermique (éclairement, injection de courant). Plus leur écart est grand, plus les porteurs injectés sont nombreux.
Nom japonais: 擬フェルミ準位
« Quasi-niveau de Fermi » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Physique des semi-conducteurs.
Domaine: Physique des semi-conducteurs
Réponse : B. Quasi-niveau de Fermi
Hors équilibre thermique, sous éclairement ou injection de courant, un seul niveau de Fermi ne peut représenter simultanément les densités d'électrons et de trous. On définit donc séparément des quasi-niveaux de Fermi (imrefs) pour les électrons et pour les trous, et l'on écrit par exemple n = ni·exp((EFn−Ei)/kT). Leur écart, par la relation np = ni²·exp(ΔEF/kT), correspond à la tension appliquée à une jonction PN ou à la tension de circuit ouvert d'une cellule solaire. Le courant est proportionnel à la pente du quasi-niveau de Fermi.
Le courant est proportionnel à la pente du quasi-niveau de Fermi.
Dans un semi-conducteur écarté de l'équilibre thermique par…Niveau de Fermi Accepteur Affinité électronique Bande interdite (bandgap) Bande interdite indirecte Concentration intrinsèque de porteurs Donneur Longueur de diffusion Masse effective Mobilité