SRAM und Flash-Speicher

Welche Einheit ist bei NAND-Flash die grundlegende Einheit zum Lesen und Schreiben (Programmieren) von Daten?

  1. ABlock
  2. BSeite
  3. CDer gesamte Chip
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Antwort: B. Seite

Bei NAND erfolgen Lesen und Schreiben seitenweise (einige KB bis über zehn KB, in letzter Zeit etwa 16 KB) und das Löschen blockweise mit einigen hundert Seiten. Eine Seite entspricht den Zellen einer Wortleitung; bei Mehrbit-Zellen sind einer Wortleitung mehrere Seiten zugeordnet (bei TLC 3 Seiten). Dass Schreib- und Löscheinheit verschieden sind, ist der grundlegende Grund, weshalb Verwaltung wie Garbage Collection nötig ist.

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