Welches Phänomen verschlechtert die Transistoreigenschaften, indem im hohen Feld nahe dem Drain beschleunigte Ladungsträger in das Gate-Dielektrikum injiziert werden?

Antwort: B. Heiße-Ladungsträger-Injektion (HCI)

Werden im Kanal fließende Ladungsträger durch das starke Feld nahe dem Drain beschleunigt, werden sie zu energiereichen heißen Ladungsträgern, von denen einige in das Gate-Dielektrikum injiziert werden oder Grenzflächenzustände erzeugen. Dadurch ändern sich Schwellenspannung und Treiberstrom. Unterdrückt wird das durch die LDD-Struktur, die die Dotierstoffkonzentration am Drain-Rand senkt und das Feld abschwächt, sowie durch geringere Versorgungsspannung. NBTI ist eine Degradation, die auch ohne Stromfluss auftritt, Latch-up das Leitendwerden eines parasitären Thyristors.