Abréviation de Lightly Doped Drain. Structure où seule l'extrémité du drain côté grille est faiblement dopée pour atténuer le champ électrique et limiter la dégradation par porteurs chauds.
Nom japonais: LDD構造
« Structure LDD » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont MOSFET, Fiabilité.
Domaine: MOSFET
Réponse : B. Réduire la concentration de dopants à l’extrémité du drain pour atténuer le champ électrique et limiter la dégradation par porteurs chauds
Près du drain, le champ électrique est intense ; des porteurs chauds de haute énergie sont injectés dans l’isolant de grille ou créent des états d’interface, ce qui provoque une dérive de la tension de seuil et une baisse du courant. La structure LDD utilise les espaceurs de grille pour former, côté canal du drain, une région peu profonde faiblement dopée qui abaisse le champ maximal et limite la dégradation. Aujourd’hui, les extensions (jonctions peu profondes fortement dopées), qui contribuent aussi à limiter les effets de canal court, sont la solution dominante.
La structure LDD utilise les espaceurs de grille pour former, côté canal du drain, une région peu profonde faiblement dopée qui abaisse le champ maximal et limite la dégradation.
Quel est le but de la structure LDD (Lightly Doped Drain) d…On l'atténue par la structure LDD, qui abaisse le dopage en bordure de drain pour adoucir le champ, ou en réduisant la tension d'alimentation.
Quel phénomène dégrade les caractéristiques d'un transistor…Tension de seuil États d'interface NBTI Latch-up CMOS Couche d'inversion Courant de court-circuit transitoire DIBL Effet de canal court Effet de substrat