可靠度 在汲極附近的高電場下被加速的載子注入閘極絕緣膜，使電晶體特性劣化的現象是下列何者？ ANBTI B熱載子注入（HCI） C閂鎖效應 查看答案與解析 正確答案：B. 熱載子注入（HCI） 在通道中流動的載子被汲極附近的強電場加速後，會成為具有高能量的熱載子，其中一部分會注入閘極絕緣膜，或產生界面能態。結果使臨界電壓與驅動電流改變。可藉由降低汲極端的雜質濃度以緩和電場的LDD結構，以及降低電源電壓來抑制。NBTI是不需要電流也會發生的劣化，閂鎖效應則是寄生閘流體的導通。