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Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques)

Quel gaz précurseur permet de déposer des films de silicium à plus basse température que le monosilane (SiH4) ?

  1. ALe disilane (Si2H6)
  2. BLe tétrafluorure de carbone (CF4)
  3. CL'azote (N2)
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Réponse : A. Le disilane (Si2H6)

Le disilane (Si2H6) possède une liaison Si-Si plus facile à rompre que celles du monosilane : il se décompose plus facilement et permet de déposer des films à base de silicium à plus basse température. En épitaxie basse température, il est apprécié car il limite la diffusion des dopants et permet des profils de concentration abrupts. Le trisilane (Si3H8), encore plus facile à décomposer, est aussi utilisé. Le CF4 est un gaz de gravure et l'azote un gaz inerte : ni l'un ni l'autre ne sont des précurseurs du silicium.

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