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Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques)

Quel gaz sert de précurseur du germanium pour la croissance épitaxiale de SiGe ?

  1. AL'ammoniac (NH3)
  2. BLe germane (GeH4)
  3. CL'arsine (AsH3)
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Réponse : B. Le germane (GeH4)

Pour la croissance du SiGe, on introduit le germane (GeH4) comme précurseur du germanium avec un précurseur du silicium (silane, dichlorosilane, etc.), et la composition en Ge se contrôle par le rapport des débits. Pour les sources et drains des pMOS, on introduit aussi du diborane pour faire croître un SiGe fortement dopé au bore, qui applique une contrainte compressive au canal. L'ammoniac est un précurseur de l'azote, l'arsine de l'arsenic.

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