Vermogenshalfgeleiders
Welke uitspraak over het gebruikelijke onderscheid in toepassing tussen silicium-MOSFET’s en IGBT’s is juist?
- AMOSFET’s zijn geschikt voor relatief lage spanningen en snel schakelen, IGBT’s voor hoge spanningen van enkele honderden volt of meer en grote stromen
- BIGBT’s zijn geschikt voor lage spanning en kleine stroom, MOSFET’s voor hoge spanning en grote stroom
- CBeide zijn voor dezelfde toepassingen te gebruiken en voor niets anders
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. MOSFET’s zijn geschikt voor relatief lage spanningen en snel schakelen, IGBT’s voor hoge spanningen van enkele honderden volt of meer en grote stromen
Silicium-MOSFET’s werken uitsluitend met meerderheidsladingdragers en zijn daarom snel, maar bij hoge doorslagspanning neemt de aan-weerstand sterk toe, zodat ze ruwweg bij enkele honderden volt of minder worden gebruikt, vooral in voedingen met lage spanning. IGBT’s kunnen dankzij geleidbaarheidsmodulatie ook bij hoge doorslagspanning een lage aan-spanning behouden en zijn geschikt voor toepassingen met grote stroom van 600 V of meer (EV’s, industriële omvormers, spoorwegen), maar zijn door de staartstroom wat trager. Tegenwoordig vervangen SiC-MOSFET’s beide in het gebied van middelhoge tot hoge doorslagspanning.